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簡要描述:鈣鈦礦鍍膜機(jī)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機(jī)薄膜等,可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作,也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作,廣泛應(yīng)用于有機(jī)、無機(jī)、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域。
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 1-5萬 |
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
鈣鈦礦鍍膜機(jī)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機(jī)薄膜等,可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作,也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗(yàn)工作,廣泛應(yīng)用于有機(jī)、無機(jī)、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域。鈣鈦礦鍍膜機(jī)工作過程中樣品位于真空室上方,蒸發(fā)源位于真空室下方,向上蒸發(fā)鍍膜,且蒸發(fā)源帶有擋板裝置,防止蒸發(fā)源被污染。
產(chǎn)品名稱 | 鈣鈦礦鍍膜機(jī) |
主要特點(diǎn) | 1、樣品位于真空室上方,蒸發(fā)源位于真空室下方,向上蒸發(fā)鍍膜,且蒸發(fā)源帶有擋板裝置。 2、設(shè)有烘烤加熱功能,可在鍍膜過程中加熱樣品,烘烤加熱溫度可達(dá)180℃。 3、設(shè)有斷水、斷電連鎖保護(hù)報(bào)警裝置及防誤操作保護(hù)報(bào)警裝置。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、鍍膜室:不銹鋼材料,采用方形前后開門結(jié)構(gòu),內(nèi)帶有防污板,腔室尺寸約為600mm× 450mm×450mm 2、真空排氣系統(tǒng):采用分子泵+機(jī)械泵系統(tǒng) 3、真空度:鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa 4、系統(tǒng)漏率:≤1×10-7Pa 5、蒸發(fā)源:安裝在真空室的下底上;有機(jī)蒸發(fā)源4個(gè)、容積5ml,2臺蒸發(fā)電源,可測溫、 控溫,加熱溫度400℃,功率0.5KW;無機(jī)蒸發(fā)源4套、容積5ml,2臺蒸發(fā)電 源,加熱電流300A,功率3.2KW;蒸發(fā)源擋板采用自動(dòng)磁力控制方式控制其開 啟 6、樣品架:安裝在真空室的上蓋上,可放置Ø120mm的樣品、載玻片,旋轉(zhuǎn)速度0-30rpm 7、加熱溫度:RT-180℃,測溫、控溫 8、膜厚控制儀:石英晶振膜厚控制儀,膜厚測量范圍0-999999Å |
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