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簡要描述:平行板電容式PECVD是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,通入適量的反應(yīng)氣體,利用等離子體放電,使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。
產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
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詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子 |
平行板電容式PECVD是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,通入適量的反應(yīng)氣體,利用等離子體放電,使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。該系統(tǒng)為單室等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝研發(fā)設(shè)備,用于生長納米線或用CVD,方法來制作各種薄膜是一款新的探索工具。1、系統(tǒng)采用單筒式結(jié)構(gòu),手動前開門
2、高真空環(huán)境下進(jìn)行沉積薄膜
3、不銹鋼腔體
4、樣品臺可轉(zhuǎn)動
產(chǎn)品名稱 | 平行板電容式PECVD | |
安裝條件 | 1、環(huán)境溫度:10℃~35℃ 2、相對濕度:不大于75% 3、供電電源:220V、單相、50±0.5 Hz 4、設(shè)備功率:小于4KW 5、供水:水壓0.2MPa~0.4MPa,水溫15℃~25℃, 6、設(shè)備周圍環(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?;驓怏w存在。 | |
主要參數(shù) | 1、系統(tǒng)采用單室筒式結(jié)構(gòu),手動前開門; 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造(304),氬弧焊接,表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口,并帶擋板,真空室尺寸為Φ300mm×300mm; 3、極限真空度:8.0x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用600L/S分子泵抽氣,前級采用4L/S); 系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到8.0x10-4 Pa,40分鐘可達(dá)到; 停泵關(guān)機(jī)12小時后真空度:≤20 Pa; 4、采用樣品在下,噴淋頭在上的電容式耦合方式進(jìn)氣; 5、樣品最高加熱溫度:500℃,溫控精度:±1°C,采用溫控表進(jìn)行控溫; 6、噴淋頭尺寸:Φ90mm,噴淋頭與樣品之間電極間距15-50mm在線連續(xù)可調(diào)(可根據(jù)工藝調(diào)整),并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示; 7.、沉積工作真空:13.3-133Pa(可根據(jù)工藝調(diào)整); 8、射頻電源:頻率 13.56MHz,最大功率300W全自動匹配; 9、氣體種類(用戶自備),標(biāo)準(zhǔn)配置為2路100sccm質(zhì)量控制器,用戶可根據(jù)工藝更改氣路配置; 10、系統(tǒng)尾氣處理系統(tǒng)(用戶自備)。 |
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