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簡(jiǎn)要描述:該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 (Pulsed laser deposition, PLD),就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積,利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離,使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng),進(jìn)而在基底上沉積,從而形成薄膜的一種方式。
產(chǎn)品分類(lèi)CLASSIFICATION
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詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 (Pulsed laser deposition, PLD),就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積,利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離,使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng),進(jìn)而在基底上沉積,從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中,脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛,可用來(lái)制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜,甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜,如金剛石、立方氮化物膜等。1、環(huán)境溫度:10℃~35℃
2、相對(duì)濕度:不大于75%
3、供水:水壓0.2MPa~0.4MPa,水溫15℃~25℃
4、設(shè)備周?chē)h(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵埃或氣體存在。
產(chǎn)品名稱(chēng) | 球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD) | |
安裝條件 | 1、環(huán)境溫度:10℃~35℃ 2、相對(duì)濕度:不大于75% 3、供電電源:220V、單相、50±0.5 Hz 4、設(shè)備功率:小于4KW 5、供水:水壓0.2MPa~0.4MPa,水溫15℃~25℃, 6、設(shè)備周?chē)h(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?;驓怏w存在。 | |
主要參數(shù) | 1、系統(tǒng)采用真空室為球形結(jié)構(gòu),手動(dòng)前開(kāi)門(mén) 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造(304),氬弧焊接,表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理 3、真空腔室有效尺寸為Φ300mm,配有可視觀察窗口 4、極限真空度:≤6.67x10-5Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用600L/S分子泵抽氣,前級(jí)采用8L/S); 系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣到8.0x10-4 Pa,40分鐘可達(dá)到; 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度:≤20Pa 5、樣品臺(tái):樣品尺寸φ40mm,轉(zhuǎn)速1-20RPM,基片臺(tái)與轉(zhuǎn)靶距離40~90mm 6、樣品加熱最高加熱溫度:800℃,溫控精度:±1°C,采用控溫表進(jìn)行控溫 7、四工位轉(zhuǎn)靶:每個(gè)靶位φ40mm,擋板只露出一個(gè)靶位,激光束要求打在最上面靶位,轉(zhuǎn)靶具有公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)功能 8、真空室內(nèi)設(shè)置烘烤、照明、水壓報(bào)警裝置 9、MFC一路質(zhì)量流量計(jì)控制進(jìn)氣 :0-100sccm |
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