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微型PECVD系統(tǒng)采用Φ 3“ × 16“ 的石英腔體,內(nèi)部設(shè)有加熱圈對樣品進行加熱,Z高溫度可以達到400℃,且采用程序化控溫,系統(tǒng)還配有2通道混氣裝置和雙旋機械泵,整套系統(tǒng)安放于移動架上,便于實驗操作。本系統(tǒng)系對于薄膜生長和納米線的制作是Z佳的選擇。
快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品(尺寸可達 3″ )的退火而設(shè)計,配有3路流量計和機械泵。本機采用 9KW的紅外燈進行加熱,Z快升溫速度可達 100℃/s,配有RS485 接口,可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。
開啟式單溫區(qū)低真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-F3LV是由開啟式單溫區(qū)管式爐、機械泵、三通道浮子混氣系統(tǒng)組成,可為CVD或擴散實驗提供1-3種的混合氣體,真空度可達10-2torr。
高真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-80-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機組組成,Z高工作溫度可達1200℃,混氣系統(tǒng)可以對兩種氣體進行精確的混氣,然后導入管式爐內(nèi)部,本系統(tǒng)極限真空度可達10-5 torr。
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設(shè)計的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。
高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機組組成,可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品(尺寸可達 3″ )的退火,并采用 10KW的紅外燈進行加熱,Z快升溫速度可達 120℃/s,配有RS485 接口,可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。