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  • 高真空三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV

    高真空三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道質(zhì)量流量控制器和高真空機組組成的CVD系統(tǒng),其爐管直徑為4″,Z高溫度可達1200℃,極限真空可達 10-5 torr,混氣系統(tǒng)可對1-9種氣體進行精確的混合,然后導(dǎo)入管式爐內(nèi)部,可用來研究氣體環(huán)境對材料的影響。

    更新日期:2019-03-06
    型號:
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • OTF-1200X-5-III-F3LV帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV

    帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃,并通過調(diào)整三個溫區(qū)而建立不同梯度的熱場,可進行退火、擴散、在不同氣氛中燒結(jié)樣品及CVD等實驗。

    更新日期:2016-04-12
    型號:OTF-1200X-5-III-F3LV
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

    4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)是為了使化學反應(yīng)能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),環(huán)境溫度在100-300℃,但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化,從而大大提高了反應(yīng)物的活性,這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上,發(fā)生非平衡的化學反應(yīng)沉積生成薄膜,因此這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)。

    更新日期:2016-04-12
    型號:
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • GSL-1700X-F3LV1700℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng)GSL-1700X-F3LV

    1700℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng)GSL-1700X-F3LV是由單溫區(qū)管式爐、三路浮子混氣系統(tǒng)和雙旋片式真空泵組成,Z高工作溫度可達1700℃,混氣系統(tǒng)可以對三種氣體進行精確的混氣,真空度可達5×10-2 torr。

    更新日期:2016-04-12
    型號:GSL-1700X-F3LV
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • GSL-1700X-4-C2HV1700℃兩通道混氣高真空CVD系統(tǒng)GSL-1700X-4-C2HV

    1700℃兩通道混氣高真空CVD系統(tǒng)GSL-1700X-4-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機組組成,Z高工作溫度可達1600℃,混氣系統(tǒng)可以對兩種氣體進行精確的混氣,然后導(dǎo)入管式爐內(nèi)部,本系統(tǒng)極限真空度可達10-5 torr。

    更新日期:2016-04-12
    型號:GSL-1700X-4-C2HV
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

    該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 (Pulsed laser deposition, PLD),就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積,利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離,使其能夠脫離靶材而向基底運動,進而在基底上沉積,從而形成薄膜的一種方式。

    更新日期:2021-12-03
    型號:
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
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